摘要
USB3.0測試夾具作為一種測試 USB3.0 芯片的工具,在其設計過程和實際電路中會出現差分走線線長的差異、刻蝕變化等差分線不對稱問題而產生共模噪聲,影響測試結果。因此設計一個對差分線共模噪聲抑制深度較深、抑制帶寬較寬的平面電磁帶隙(Electromagnetic Band Gap,EBG)結構非 常重要。單 C 型平面 EBG 結構由于結構簡單,尺寸較小,抑制差分線共模噪聲效果良好,被廣泛采用。
本文首先詳細分析了單 C 型平面 EBG 結構關鍵的尺寸參數對抑制共模噪聲性能的影響,對單 C型平面 EBG 結構做出了優化設計。由于單 C 型平面 EBG 結構凹槽長度與共模抑制阻帶中心頻率之 間呈負相關性,本文通過調節凹槽長度設計了兩種凹槽長度不同的單 C 型平面 EBG 結構,凹槽長度較長的結構產生低頻共模諧振,凹槽長度較短的結構產生高頻共模諧振。然后運用級聯技術將這兩種單 C 型平面 EBG 結構級聯成一個雙 C 型平面 EBG 結構,使共模抑制頻率范圍處于指定的頻率區間,展寬了共模抑制帶寬。在此基礎上,本文將雙 C 型平面 EBG 結構應用于 USB3.0 測試夾具。設計過程中采用 HFSS 電磁仿真軟件對平面 EBG 結構進行優化和改進,對 USB3.0 測試夾具的頻域性能進行了仿真分析。最終將基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具制作成實物,使用矢量網絡分析儀對其進行測試。
論文設計的平面 EBG 結構尺寸為 19.5mm×6mm,實測結果表明,基于平面 EBG 結構的 USB3.0測試夾具具有良好的共模噪聲抑制性能,在 2.64GHz-7.43GHz 的頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 4.79GHZ,差分信號的傳輸性能良好。
關鍵詞:USB3.0,平面 EBG 結構,差分線,共模噪聲抑制
Abstract
USB3.0 test fixture as a tool to test USB3.0 chip, in the design process and the actual circuit, the difference line length difference, etching change and other difference line asymmetry problems will produce common mode noise, affect the test results. Therefore, it is very important to design a Electromagnetic Band Gap (EBG) structure which can suppress the common mode noise of the differential line with deep depth and wide suppression bandwidth. Single C type plane EBG structure is widely used because of its simple structure, small size and good effect on suppressing common mode noise of difference line.
In this paper, the influence of key dimensional parameters of single C plane EBG structure on the performance of suppressing common mode noise is analyzed in detail, and the optimal design of single C plane EBG structure is made. Because there is a negative correlation between the groove length and the center frequency of the common mode suppression stop band of single C type EBG structure, two kinds of single C type EBG structure with different groove length are designed by adjusting the length of the groove. The structure with longer groove length produces low frequency common mode resonance, while the structure with shorter groove length produces high frequency common mode resonance. Then the two single-C-plane EBG structures are cascaded into a double-C-plane EBG structure by using the cascading technique, so that the common mode suppression frequency range is in the specified frequency range and the common mode suppression bandwidth is expanded. On this basis, the double C plane EBG structure is applied to USB3.0 test fixture. In the design process, HFSS electromagnetic simulation software is used to optimize and improve the planar EBG structure, and the frequency domain energy of USB3.0 test fixture is simulated and analyzed. Finally, the USB3.0 test fixture based on plane EBG structure is made into a real object, and the vector network analyzer is used to test it.
The size of plane EBG structure designed in this paper is 19.5mm×6mm. The test results show that the USB3.0 test fixture based on plane EBG structure has good common mode noise suppression performance. In the frequency range of 2.64ghz-7.43ghz, the common-mode suppression depth is less than -10dB, and the common-mode suppression bandwidth is 4.79ghz, and the differential signal transmission performance is good.
Key words: USB3.0, plane EBG structure, difference line, common mode noise suppression
目錄
第一章 緒論
1.1 課題背景與研究意義
自從第一代 USB 總線問世以來,USB 總線技術就一直在不斷升級,USB 相關電路的信號傳輸速度也在不斷提高。USB-IF 于 1996 年 1 月正式提出 USB1.0 規范,數據傳輸速率為 1.5Mbps,升級后的 USB1.1 版本傳輸速率為 12Mbps.然而當時支持 USB 的周邊裝置很少,主機板廠商并未將 USBPort 直接設計在主機板上。之后經過 Compaq、Hewlett Packard、Intel、Lucent、Microsoft、NEC、Philips 等研究機構共同研究推出了 USB2.0 規范,規范中外設的數據傳輸速度已達到 480Mbps.而 當 Intel 等公司發布了 USB3.0 規范后,信號傳輸速率已經高達 5Gbps[1].由于 USB 3.0 傳輸速度很快,被應用于大量終端設備和存儲設備中,因此國內外非常重視此技術,實際工程中對 USB3.0 相關電 路的信號完整性和電磁兼容性能要求很高,因此業界對 USB3.0 及相關電路(如 USB3.0 接口、USB3.0測試夾具等)進行了深入的研究。隨著我國集成電路產業的發展和 USB3.0 芯片測試需求的增長,USB3.0 測試夾具在 USB3.0 的測試過程中具有非常重要的作用。
隨著電子系統數據傳輸速率的提高,數據傳輸速率高達 Gb/s 以上的高速信號的頻譜分量已經進入微波毫米波的范圍,高速信號傳輸時不可避免地會產生共模噪聲干擾[2].USB3.0 測試夾具主要是由 USB3.0 標準接口、信號傳輸線以及 SMA 接口等組成,由于差分走線具有抗干擾能力強,易于匹配,在高比特率的信號傳輸過程中具有高可靠性等諸多優勢,因此 USB3.0 測試夾具的信號傳輸線基本采用差分走線的方式傳輸信號。雖然差分走線具有很多優勢,但是在實際應用中仍然存在一些問題。例如,差分線在 PCB 板上走線遇到拐角或走線經過某些器件時,會出現差分傳輸線長度不等長的情況。當其工作在 5Gbps 的傳輸速率下,差分線上的信號會產生差模向共模轉換的現象,即共模噪聲,其對 USB3.0 芯片的測試結果會產生不良影響,因此研究如何抑制 USB3.0 測試夾具的共模噪聲具有重要意義。
為了確保差分線長度不等長現象引起的共模噪聲盡可能小,GHz 頻段共模噪聲抑制技術需要深入地研究。目前抑制差分線共模噪聲的方法有兩種:一種是在差分線自身結構上進行改進。例如通過在差分線的短線上加載容性補償[3]或感性補償結構[4]來提高短線上的信號傳輸時間,使信號在兩根線上盡量反相位,同幅度傳輸;另一種方法是在差分線正下方的參考平面刻蝕平面 EBG 結構。平面EBG 結構作為一種新型的抑制差分線共模噪聲的結構,當信號傳輸時,會形成共模諧振電路,對一定頻段范圍的共模噪聲信號形成阻帶,從而達到抑制的效果。并且平面 EBG 結構制作方便,因此研 究平面 EBG 結構抑制差分線共模噪聲具有重大意義。
本論文以設計 USB3.0 測試夾具的工程應用為背景,對抑制差分線共模噪聲的平面 EBG 結構進行分析和研究,設計滿足要求的平面 EBG 結構并基于該結構設計和制作出一款 USB3.0 測試夾具。
1.2 國內外研究現狀
1991年,美國貝爾通訊研究中心的E.Yablonovitch教授等人提出了一種新型實用的EBG結構[5], 該結構在微波頻段具備完整的帶隙特性。由于該結構在半導體物理學、電磁學領域具有很廣闊的研究價值,因此引起了各國學者對該結構的關注。1999 年,Sievenpiper D 等人率先提出了一種新型的表面具有高特征阻抗的平面 EBG 結構[6],該結構具有諧振特性,可對天線表面波產生抑制。同年Fei-Ran Yang 等人提出了一種新型的適用于微波電路的平面 EBG 結構[7],此結構具有寬阻帶和緊湊尺寸的特點。以上兩種結構即為平面 EBG 結構的原型,由于這兩種結構均可制作成 PCB 電路,并且在高速電路中具有很好的共模噪聲抑制能力,因此后續有很多學者對此展開了研究。
2009 年 ShuJung Wu 等人通過將 U 型和 H 型平面 EBG 結構耦合級聯在一起[8],設計了一種 UH型平面 EBG 結構,該結構在 3.6GHz-9.1GHz 頻率范圍內共模噪聲抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 5.5GHz,結構尺寸為 10mm×9mm.
國內南京理工大學的施永榮博士提出了一種級聯的紡錘型平面 EBG 結構[9],該結構具有在2.4GHz-6.35GHz 的頻率范圍內共模噪聲抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 3.95GHz 的性能。并且共模噪聲抑制的阻帶上截止頻率低,該結構尺寸為 12.5mm×10mm.
上海交通大學高速電子系統設計與電磁兼容研究重點實驗室提出一種在高速差分線的參考地上刻蝕出一種共面波導式的平面 EBG 結構[10],并且為其建立了等效電路模型,該結構在3.96GHz-8.26GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 4.36GHz,結構尺寸為17mm×3.4mm.
2017 年 Martel J、Fernandezprieto A 等人通過改良 C 型平面 EBG 結構[11],該結構在3.9GHz-5.05GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,結構尺寸為 5mm×3mm,具有很好的尺寸優勢。
Peng Y 等人通過將兩個 C 型平面 EBG 結構和一個 H 型平面 EBG 結構通過級聯的方式耦合在一起[12],該結構在 3.6GHz-8.6GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 5GHz,結構尺寸為 8.5mm×7.5mm.
Lin D B 等人通過將兩個 C 型平面 EBG 結構級聯在一起[13],該結構在 3.7GHz-10.8GHz 的頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 7.7GHz,結構尺寸為 7mm×7mm.
西電的學者張偉等人研究了多過孔的蘑菇型平面 EBG 結構的帶隙特性[14],通過對比單過孔 EBG結構和多過孔平面 EBG 結構共模抑制帶寬,設計了一種在 4.2GHz-10.5GHz 頻率范圍內共模噪聲抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 6.3GHz 的雙過孔蘑菇型平面 EBG 結構,尺寸為 18mm×6.5mm.
Wei Zhang 等人通過在一種類似蘑菇型平面 EBG 結構的平面上打孔[15],并且分析每個單元平面上加載單過孔、雙過孔和三過孔產生的影響,設計出一種在 4.77GHz-10.5GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 5.73GHz 的平面 EBG 結構,尺寸為 7mm×7mm.
Fu S 等人將基板打孔技術應用于矩形平面 EBG 結構上[16],設計的平面 EBG 結構在 3.6GHz-9.7GHz 頻率范圍內共模噪聲抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 6.1GHz,結構尺寸為30mm×15mm.
臺灣大學 Liu W、Tsai C 等人將周期排列技術應用于啞鈴型平面 EBG 結構[17],該結構在2.7GHz-8.7GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 6GHz,結構尺寸為45mm×12mm.該結構在噪聲回路上等效成并聯的電感和電容,通過諧振濾除共模噪聲。由于差分信號傳輸的能量主要集中在差分線本身,因此不受啞鈴型平面 EBG 結構的干擾。
Jun H 等人將 UC-PBG 結構通過一定尺寸進行周期排列[18],該結構在 3.5GHz-9.4GHz 頻率范圍內共模噪聲抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 5.9GHz,結構尺寸為 35mm×7mm. 表 1.1 為近幾年運用不同技術設計的平面 EBG 結構性能對比,其中共模抑制頻率范圍和共模抑制帶寬均以共模抑制深度小于-10dB 為前提。
由表 1.1 可以看出采用基板打孔技術設計的平面 EBG 結構尺寸相對較小,共模抑制帶寬較寬;采用周期排列技術設計的平面 EBG 結構尺寸相對較大,共模抑制帶寬同樣較寬;采用級聯技術設計的平面 EBG 結構尺寸較小,共模抑制帶寬適中。
表 1.2 列舉了三種展寬共模抑制帶寬技術的特點。其中運用級聯技術可調整阻帶中心頻率,展寬共模抑制帶寬的代價是結構尺寸變大,級聯后需要優化耦合性能。周期排列技術的特點是在設計過程中可按照尺寸限制和性能指標設置周期值,有效地利用了空間資源,并且阻帶中心頻率和共模抑制的阻帶帶寬均可調整;宕蚩准夹g主要是結合單元結構一起設計,雖然共模抑制帶寬和共模抑制深度較為理想,但制作成本高昂,設計過程復雜。
本論文需要設計一種應用于 USB3.0 測試夾具的平面 EBG 結構,要求在一定空間限制的條件下,其性能在 2.5GHz-7.5GHz 頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 5GHz.由于采用級聯技術設計的平面 EBG 結構具有尺寸較小和阻帶帶寬較寬的特點,因此本論文選擇采用級聯技術展寬共模抑制帶寬。另外由于 C 型平面 EBG 結構簡單,共模抑制寬度較寬,目前級聯結構設計中,以C 型平面 EBG 結構作為基礎結構的應用較為廣泛,文獻[11]-[13]中的平面 EBG 結構均在 C 型平面EBG 結構的基礎上進行改進和優化,綜上所述,本文采用 C 型平面 EBG 結構作為基礎結構進行設計。
1.3 論文主要內容與設計
指標本論文通過理論知識和仿真分析優化平面 EBG 結構的參數和尺寸,設計一種抑制差分線共模噪聲的平面 EBG 結構,并基于此結構設計一款 USB3.0 測試夾具,用于抑制夾具差分線上的共模噪聲,最后將 USB3.0 測試夾具制作成實物進行測試。本論文主要內容包括以下幾個方面:
。1)介紹平面 EBG 結構的帶隙形成原理、差分線的基礎理論知識、平面 EBG 結構分析方法和幾種平面 EBG 結構的共模抑制帶寬展寬的方法。
。2)研究單 C 型平面 EBG 結構的共模噪聲抑制特性,仿真分析得出可以優化和改進的參數,對 單 C 型平面 EBG 結構進行改進和優化。并采用級聯技術設計出符合指標要求的雙 C 型平面 EBG 結構,進而將平面 EBG 結構應用于 USB3.0 測試夾具上,通過仿真分析應用平面 EBG 結構的 USB3.0測試夾具差分線的各項性能。
由于 USB3.0 測試夾具信號傳輸的速率為 5Gbps,信號在頻域上的奈奎斯特頻點為 2.5GHz,三次諧波的頻點為 7.5GHz,信號能量主要集中在這兩個頻點范圍內,因此對夾具差分線共模噪聲的抑制范圍能覆蓋 2.5GHz-7.5GHz,這個頻段的寬度為 5GHz,故需要盡量超過 5GHz.另外 USB3.0 測試夾具的規范要求差分信號正常傳輸,需要其差模插入損耗值在 0-10GHz 頻率范圍內大于-10dB,并且在 2.5GHz(奈奎斯特頻點)處,差模插入損耗值大于-6dB;在 7.5GHz(三次諧波)處,差模插入損耗值大于-8dB,并且差分阻抗需要在 75Ω-105Ω 之間。由于設計的平面 EBG 結構還有一定的尺寸限制,本文根據設計要求將平面 EBG 結構尺寸設定為小于 200mm2.由此,表 1.3 列出了本論文設計 USB3.0 測試夾具的指標要求。
。3)將設計的基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具制作成實物,并對關鍵參數進行測試。
1.4 論文結構安排
本文對差分線中共模噪聲的抑制進行深入研究,設計一種可抑制差分線共模噪聲的平面 EBG 結構,仿真分析平面 EBG 結構的共模噪聲抑制性能,達到指標要求后將其應用于 USB3.0 測試夾具上。
論文將對 USB3.0 測試夾具的設計過程進行詳細地介紹,仿真和分析后制作成 PCB 實物進行測試驗證。本論文的結構安排如下。
第一章是緒論,介紹本論文的研究背景和意義,通過對比國內外研究現狀得出本文的設計指標。
第二章對平面 EBG 結構的設計理論進行了詳細的介紹。其中主要介紹平面 EBG 結構的帶隙形成、差分線相關的理論基礎以及平面 EBG 結構的分析理論基礎,并對設計平面 EBG 結構的關鍵技術作詳細闡述。
第三章介紹基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具的設計過程。先對已有的單 C 型平面 EBG結構進行仿真分析,并做出優化和改進。通過分析單 C 型平面 EBG 結構凹槽長度和共模抑制阻帶中心頻率的關系。設計兩種凹槽長度不同的單 C 型平面 EBG 結構,凹槽長度較長的結構產生低頻共模諧振,凹槽長度較短的結構產生高頻共模諧振,將這兩種結構級聯得出一種雙 C 型平面 EBG 結構,同時通過調節兩個 C 型平面 EBG 結構的耦合距離,使其達到最優共模噪聲抑制性能。然后將所設計的雙 C 型平面 EBG 結構應用在 USB3.0 測試夾具上,并詳細地介紹了 USB3.0 測試夾具的設計過程,最后通過使用 HFSS 仿真軟件對相關參數進行仿真分析。
第四章介紹基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具的制作和測試。分別測試功能參數(差分線差模插入損耗、差分阻抗)和性能參數(共模插入損耗),并對實測結果進行詳細地分析。
第五章是本論文工作的總結,提出本論文的不足和有待改善之處。同時在現有的研究成果上展望未來工作,對本論文設計的平面 EBG 結構和 USB3.0 測試夾具提出進一步的優化建議。
第二章 平面 EBG 結構設計的理論基礎
2.1 平面 EBG 結構的帶隙形成
2.2 差分線理論和平面 EBG 結構的分析方法
2.2.1 差分信號傳輸的基本理論
2.2.2 平面 EBG 結構的分析方法
2.3 平面 EBG 結構的關鍵參數
2.4 平面 EBG 結構共模抑制帶寬的展寬技術
2.4.1 級聯技術
2.4.2 周期排列技術
2.4.3 基板打孔技術
2.5 本章小結
第三章 基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具的設計
3.1 單 C 型平面 EBG 結構的分析和優化
3.2 雙 C 型平面 EBG 結構的設計
3.2.1 單 C 型平面 EBG 結構的級聯
3.2.2 雙 C 型平面 EBG 結構的仿真結果及分析
3.3 基于雙 C 型平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具的設計
3.3.1 USB3.0 測試夾具的 PCB 設計
3.3.2 基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具的仿真
3.3.3 仿真結果分析
3.4 本章小結
第四章 基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具制作與測試
4.1 USB3.0 測試夾具的實物制作
4.2 USB3.0 測試夾具的測試環境
4.3 結果和誤差分析
4.3.1 測試結果
4.3.2 結果對比和誤差分析
4.4 本章小結
第五章 總結與展望
5.1 總結
本文在現有的研究成果上進行優化和改進,并設計了一種用于 USB3.0 測試夾具的平面 EBG 結構,該平面 EBG 結構對 USB3.0 測試夾具的差分信號的傳輸影響很小,對共模噪聲具有很強的抑制能力。在 2.64GHz-7.43GHz 的頻率范圍內共模抑制深度小于-10dB,共模抑制帶寬為 4.79GHz.
本文主要工作可以總結為四個部分:
。1)回顧了平面 EBG 結構的發展現狀,并通過對比給出了本論文平面 EBG 結構的設計指標要求。
。2)對平面 EBG 結構的基本原理進行了詳細闡述,并介紹了差分線的基本理論和平面 EBG 結構的分析方法以及幾種平面 EBG 結構共模抑制帶寬的展寬技術。
。3)首先仿真分析了單 C 型平面 EBG 結構的關鍵尺寸對共模抑制性能的影響,并且得出單 C型平面 EBG 結構中凹槽長度與共模抑制阻帶中心頻率的關系,隨后通過對單 C 型平面 EBG 結構進行級聯,提升了共模噪聲抑制的帶寬。最后在此基礎上設計了基于平面 EBG 結構的 USB3.0 測試夾具,利用電磁仿真軟件 HFSS 仿真了夾具差分線的 S 參數,包括 Scc21、Sdd21 以及差分線 TDR 阻抗等參數,并與所提出的設計指標進行了對比和分析。 (4)對第三章設計的 USB3.0 測試夾具差分線頻域性能進行了測試,得出了差模和共模 S 參數、阻抗性能的結果。測試結果表明,USB3.0 測試夾具功能和性能良好,加入所設計的平面 EBG 結構后具有良好的共模抑制能力。
5.2 展望
本文設計的 USB3.0 測試夾具功能參數基本達到設計指標,能夠較好地對 USB3.0 芯片進行測試。
但是性能參數未達到設計指標要求。因此還需要在后續的工作當中扎實理論基礎,積累經驗,通過更深入的研究改進這些不足之處:
。1)從設計角度來看,雖然本文設計的平面 EBG 結構基本覆蓋 USB3.0 測試夾具工作的主要頻段,但是共模抑制帶寬尚未達到 5GHz,即沒有完全覆蓋 2.5GHz-7.5GHz 頻率范圍。因此需要在后續的工作中進一步優化平面 EBG 結構的性能,主要可以通過在 3.2.1 節基礎上給足共模抑制帶寬的裕量,不至于在實測時達不到設計指標。
。2)從測試角度來看,由于不能直接通過 USB3.0 測試夾具得出測試結果,因此設計了用于測試的 PCB 板,間接測試難免會差生誤差。后續測試工作中,在條件允許的情況下,可以將 PCB 板差分線上方的綠油層進行開窗處理,然后使用差分探針頭直接接觸 PCB 表層的差分線,既避免了通過 SMA 接口連接至網絡分析儀,也避免了由于測試需要而設計不必要的走線。
。3)本文第三章利用級聯技術設計的雙 C 型平面 EBG 結構只考慮了一種級聯方式,后續可以采用更多的級聯方式進行設計。比如將兩個 C 型平面 EBG 結構垂直于差分線方向上的凹槽長度設置成不同長度,使耦合距離進一步縮短。另外可以采用"背靠背"的級聯方式來級聯兩個 C 型凹槽等。
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致謝
時光轉瞬即逝,回首三年的學習生涯,真是喜憂參半。有與同學之間一起度過的歡樂時光,也對未來的不知所措而感到茫然,對時光匆匆而過而感到惋惜。期間得到了老師、同學、家人的關心與幫助。在他們的支持下,三觀逐漸塑造起來,從一個不諳世事的毛頭小子變成一個對任何事都有自己獨特的看法的成年人;厥走@三年時光,獲得的不僅是年齡的增長,更重要的是心智的成熟, 這對我以后的人生道路是一筆寶貴的財富。
首先感謝我的導師吳建輝教授,吳老師外表嚴肅,一絲不茍,在對待學術問題嚴謹細致。從我讀研以來他就以嚴肅的科學態度求同存異的工作作風激勵著我,每次他都能在大小事件中發現不足之處,直中要害,可謂是入木三分,從而讓我們在后續的工作中避開障礙。尤其在我的課題研究和論文撰寫方面給予了寶貴的意見,他的教誨與鞭策將激勵我在科學研究的道路上勵精圖治,將是我以后學習的楷模。
在實驗室期間,我要特別感謝我的責任導師黃成老師,黃老師不僅僅授我以文,而且教我做人,讓我更加深入地理解了外圓內方這個為人處世的道理。雖歷時三載,卻賦予我終生受益無窮之道。
從論文的選題、構思、撰寫到最終的定稿,黃老師都給了我悉心的指導和熱情的幫忙,使我畢業論文能夠順利的完成。還有我的校外導師趙文遐老師,實踐環節,趙老師提供了很多項目上的建議。
不同于本科的學習,研究生學習不可能面面俱到,擁有了如何解決難題的方法,一切困難都將迎刃而解。
還要感謝實驗室的吳凱師兄、王曉倩師姐、嚴明達師兄,感謝他們對我學習和生活上的指導。
尤其是吳凱師兄和嚴明達師兄,十分感謝他們為我解答天線設計和信號完整性設計的困惑,為我畢設課題的順利開展打下堅實的基礎。還要感謝無錫實驗室占克文,閔嘉煒,張勇等人在我困難的時候提供無私的幫助,尤其是占克文同學,在我最困難的時刻替我排憂解難,在我最需要幫助的時候提供無私的幫助,在撰寫論文時他給了我很多建議,可謂是肺腑之交。另外蘇州實驗室 207 的小伙伴如康雪文、田廣澤、孫千惠、劉晨、沈哲仙、李嘉奕等人在我課題研究階段陪伴著我,是他們對我的工作進行了無私的協助和支持。正是有他們的陪伴,我才度過了一個有意義的研究生生活。能夠在這樣一個和諧的團隊中成長,是我極大的榮幸。還要感謝我的家人,是他們的鼓勵和支持,我 才能全心投入學習和工作之中。若是沒有他們的支持和鼓勵,我也無法一路克服重重困難完成學業。
除此之外,我要感謝東南大學對我的培養。三年求學,轉眼畢業在即;叵氲谝淮温牭綎|大校歌百載文樞江左,東南輩出英豪,當時是多么意氣風發, 這三年有過懵懂和迷茫,東大見證了我的青春歲月,見證了我生活中逐漸的成熟,在這里,我對母校充滿無限感激和留戀。
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